近日，劉忠范院士團(tuán)隊(duì)成功發(fā)明了石墨烯“分子流”模式的CVD生長(zhǎng)方法，在單晶化的銅箔表面實(shí)現(xiàn)了毫米級(jí)石墨烯單晶陣列的快速批量生長(zhǎng)。該方法把數(shù)片工業(yè)銅箔堆垛成疊層結(jié)構(gòu)或把長(zhǎng)條銅箔卷積成卷筒狀后置于管式爐CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)中，通入微量的氧氣后在高溫下退火，利用氧的化學(xué)吸附誘導(dǎo)和氫氣后還原的方法使堆垛的多晶銅箔表面快速轉(zhuǎn)化為大面積銅單晶表面，從而為后續(xù)毫米級(jí)石墨烯單晶的生長(zhǎng)提供了高質(zhì)量、平整的單晶基底。然后，通入甲烷進(jìn)行石墨烯單晶的成核和生長(zhǎng)，當(dāng)甲烷通入10分鐘，就可獲得單一晶疇達(dá)3毫米的石墨烯單晶的大面積陣列，石墨烯大單晶陣列的生長(zhǎng)速度達(dá)到300 微米/分鐘。相關(guān)結(jié)果最近的《Advanced Materials》上發(fā)表，并已申請(qǐng)了專利。