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研究進(jìn)展

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標(biāo)號石墨烯研究取得重要進(jìn)展

日期:2018-01-09 16:23:21    作者:院辦公室    瀏覽量:6762 次

近日,彭海琳教授團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)的“石墨烯電子材料和透明導(dǎo)電薄膜的標(biāo)號規(guī)則及穩(wěn)定生產(chǎn)工藝研究”項(xiàng)目取得重要進(jìn)展,通過設(shè)計(jì)的第二代卷對卷CVD設(shè)備制備得到了米量級的高品質(zhì)石墨烯薄膜。該方法將工業(yè)銅箔以100 毫米/分鐘的線速度通過CVD爐,在1小時內(nèi)可以獲得0.2米×6米的石墨烯薄膜。在石墨烯/銅箔成品上每隔1米取點(diǎn)測試,通過光學(xué)顯微鏡和拉曼光譜表征可知石墨烯薄膜基本都是均勻的單層石墨烯,其厚度,疇區(qū),缺陷等材料結(jié)構(gòu)要素都是均勻分布的。該研究成果對建立標(biāo)號石墨烯透明薄膜的穩(wěn)定生產(chǎn)工藝與規(guī)程、突破高品質(zhì)石墨烯薄膜制備及其高端應(yīng)用技術(shù)具有重要的意義。

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第二代卷對卷CVD設(shè)備制備米量級高品質(zhì)石墨烯薄膜

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