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研究進(jìn)展

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北京石墨烯研究院劉忠范院士團(tuán)隊(duì)Adv.Mater.:給紫外LED裝上垂直石墨烯納米片“散熱器”

日期:2019-06-21 14:43:42    作者:院辦公室    瀏覽量:10725 次

【引言】

氮化物半導(dǎo)體二極管(氮化鎵和氮化鋁)在紫外發(fā)光二極管(LED)中具有廣闊的應(yīng)用前景。目前,市場(chǎng)上大部分紫外LED都是基于藍(lán)寶石襯底制備的,然而由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差,導(dǎo)致了紫外LED在使用過(guò)程存在嚴(yán)重散熱問(wèn)題。特別是對(duì)于芯片面積大、驅(qū)動(dòng)電流大的高亮度LED器件,散熱問(wèn)題會(huì)造成器件性能的嚴(yán)重下降。目前,盡管研究者采取了一些技術(shù)來(lái)試圖解決散熱問(wèn)題,但都存在一些問(wèn)題。比如,研究者通過(guò)倒裝芯片封裝工藝將芯片產(chǎn)生的熱量通過(guò)焊料散到散熱器,但是由于焊料與散熱器之間的導(dǎo)熱性差,其散熱性能的改善通常很有限?;蛘咄ㄟ^(guò)激光薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù),將制備于藍(lán)寶石襯底的器件轉(zhuǎn)移至熱擴(kuò)散系數(shù)高的襯底上。這個(gè)方法可以有效地解決器件的散熱問(wèn)題,但是其轉(zhuǎn)移技術(shù)的復(fù)雜性給制備工藝帶來(lái)了巨大的成本。此外,也可以將氮化物半導(dǎo)體直接生長(zhǎng)在高散熱系數(shù)的氮化鎵和碳化硅襯底上,然而氮化鎵和碳化硅襯底的高成本顯著增加了生產(chǎn)成本,限制了它們的廣泛應(yīng)用。因此,紫外光電二極管的散熱仍然是個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。


【成果簡(jiǎn)介】


近日,北京石墨烯研究院劉忠范院士團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種垂直石墨烯納米片作為散熱器的藍(lán)寶石襯底氮化鋁紫外LED器件,有效提升了紫外LED的散熱性能。相關(guān)成果發(fā)表在Advanced Materials上,文章題目為“Enhancement of Heat Dissipation in Ultraviolet Light-Emitting Diodes by a Vertically Oriented Graphene Nanowall Buffer Layer”。

【圖文導(dǎo)讀】


圖1 垂直石墨烯(VG)納米片作為緩沖層增強(qiáng)藍(lán)寶石襯底上的氮化鋁薄膜的熱擴(kuò)散

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(a) AlN-VG-Al2O3異質(zhì)結(jié)構(gòu)散熱增強(qiáng)示意圖;

(b) VG納米片的掃描電鏡圖;

(c) VG納米片的拉曼光譜;

(d) VG納米片的原子力掃描電鏡圖;

(e) VG納米片的代表性截面透射電鏡圖像。


圖2 VG納米片緩沖層對(duì)生長(zhǎng)在氧化鋁襯底上的氮化鋁薄膜成核和質(zhì)量的影響

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(a-c) 初始成核階段,在裸藍(lán)寶石襯底(a)、低密度VG藍(lán)寶石襯底和高密度VG藍(lán)寶石襯底生長(zhǎng)的氮化鋁SEM圖;

(d-f) a-c圖相對(duì)應(yīng)的示意圖;

(g) 氮化鋁成核數(shù)量統(tǒng)計(jì);

(h) 低密度VG納米片襯底生長(zhǎng)的氮化鋁薄膜的SEM圖;

(i) 低密度VG納米片襯底生長(zhǎng)的氮化鋁薄膜的AFM圖。


圖3:有無(wú)VG納米片的氧化鋁基底上的氮化鋁薄膜的散熱性能

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(a, c) 有無(wú)VG納米片的氮化鋁-藍(lán)寶石結(jié)構(gòu)示意圖;

(b, d) 有無(wú)VG納米片的氮化鋁-藍(lán)寶石器件的模擬二維熱分布圖;

(e) 紅外相機(jī)測(cè)試的有無(wú)VG納米片的氮化鋁-藍(lán)寶石器件的表面溫度與時(shí)間的關(guān)系曲線;

(f) 有無(wú)VG納米片的氮化鋁-藍(lán)寶石器件的加熱速率和冷卻速率隨時(shí)間的變化曲線。


圖4 AlN-VG-Al2O3異質(zhì)結(jié)構(gòu)的拉曼光譜分析

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(a) AlN-VG-Al2O3的拉曼光譜;

(b) 氮化鋁在藍(lán)寶石、垂直石墨烯、橫向石墨烯和塊體氮化鋁上的拉曼位移;

(c) 在不同緩沖層襯底上的氮化鋁薄膜和氮化鋁塊體的雙軸應(yīng)力。


圖5 VG/藍(lán)寶石襯底在紫外LED中的應(yīng)用

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(a, b) 有無(wú)VG的紫外LED器件的EL光譜;

(c) 有無(wú)VG的紫外LED器件的I-V曲線;

(d) 有無(wú)VG的紫外LED器件的光輸出功率與注入電流的關(guān)系。

【小結(jié)】


研究者開(kāi)發(fā)了一種垂直石墨烯散熱結(jié)構(gòu)有效提升了紫外LED器件的散熱性能。實(shí)驗(yàn)和理論分析表明,垂直石墨烯緩沖層可以作為一種良好的散熱增強(qiáng)材料,為解決LED應(yīng)用中的散熱問(wèn)題提供了一種新的策略。

文獻(xiàn)鏈接:Enhancement of Heat Dissipation in Ultraviolet Light-Emitting Diodes by a Vertically Oriented Graphene Nanowall Buffer Layer, Advanced Materials, 2019, DOI: 10.1002/adma.201901624.

(本文轉(zhuǎn)載自材料人,由金也編譯供稿)



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