石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)是高質(zhì)量石墨烯薄膜走向應(yīng)用的橋梁。依托于北京石墨烯研究院生產(chǎn)的高質(zhì)量的超平整單晶晶圓石墨烯，研發(fā)出一種潔凈、無損的轉(zhuǎn)移方法，可以實現(xiàn)四英寸晶圓石墨烯向硅基底、藍寶石、石英等基底的轉(zhuǎn)移。

傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法一般使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作為石墨烯的轉(zhuǎn)移介質(zhì)，PMMA的分子量較大，與石墨烯之間的相互作用力較強，導(dǎo)致轉(zhuǎn)移后石墨烯表面有很多PMMA的殘留，降低了石墨烯的力學(xué)、電學(xué)、光學(xué)等性質(zhì)。我們在石墨烯和PMMA之間引入一層緩沖層，緩沖層由與石墨烯相互作用力小的分子構(gòu)成，有助于轉(zhuǎn)移介質(zhì)的去除，在保證完整度的同時，提升轉(zhuǎn)移后石墨烯的潔凈度，同時這種轉(zhuǎn)移方法可以實現(xiàn)四英寸晶圓的轉(zhuǎn)移。  

超平整單晶晶圓的潔凈、無損轉(zhuǎn)移有助于石墨烯的在光通訊器件中的應(yīng)用探索。隨著社會對光通訊器件集成度、成本、功耗以及可靠性要求的提升，光通訊器件也逐漸從傳統(tǒng)光模塊時代向硅光時代轉(zhuǎn)變。石墨烯則展現(xiàn)了不俗的應(yīng)用潛力，如石墨烯無層間懸掛鍵，載流子遷移率高，超快的光電弛豫速度（100 fs-1 ps），與硅光波導(dǎo)技術(shù)兼容等性質(zhì)。石墨烯的出現(xiàn)讓硅光時代有了更進一步的發(fā)展方向，目前單個石墨烯/硅光集成器件已被證明具有優(yōu)異的性質(zhì)，而走向?qū)嶋H應(yīng)用還需要突破晶圓級器件的批量制造技術(shù)。