WG16D4—4英寸單晶晶圓項(xiàng)目組通過不斷的工藝摸索，并經(jīng)過了不懈的努力，已經(jīng)可以成功實(shí)現(xiàn)銅和銅鎳基底上的毫米尺寸石墨烯單疇的取向一致拼接，進(jìn)一步提高了單晶石墨烯晶圓的質(zhì)量。與此同時(shí)，項(xiàng)目組研究了基底品質(zhì)、濺射和退火工藝等對于銅單晶薄膜制備的影響，現(xiàn)行的工藝方案可以有效提高銅薄膜的單晶化程度；同時(shí)為進(jìn)一步提高產(chǎn)量、降低成本，項(xiàng)目組決定采取共濺射的方法，此方法可以將基底制備的時(shí)間縮短一半，目前可實(shí)現(xiàn)日產(chǎn)12片高質(zhì)量的銅單晶晶圓，這為以后4英寸單晶晶圓的批量化生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。項(xiàng)目組還同時(shí)梳理了產(chǎn)品的質(zhì)檢及包裝入庫流程，目前已有100片產(chǎn)品入庫且進(jìn)行了小批量產(chǎn)品出售。